R6011KNX

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	R6011KNX
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Especificaciones:	R6011KNX.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	50723 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50723 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.678

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Especificaciones de R6011KNX

Número de pieza	R6011KNX	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	50723 pcs	Ficha de datos	R6011KNX.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220FM
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	390 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	53W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	22nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 11A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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