MSM51V18165F-60T3

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MSM51V18165F-60T3
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP
Especificaciones:	MSM51V18165F-60T3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2831 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2831 pcs

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Especificaciones de MSM51V18165F-60T3

Número de pieza	MSM51V18165F-60T3	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2831 pcs	Ficha de datos	MSM51V18165F-60T3.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	104ns	Suministro de voltaje	3 V ~ 3.6 V
Tecnología	DRAM	Paquete del dispositivo	50-TSOP
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads	Otros nombres	MSM51V18165F-60T3K-7 MSM51V18165F-60T3K-7-ND MSM51V18165F-60T3KMT MSM51V18165F-60T3KMT-ND MSM51V18165F60T3
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	2 (1 Year)	Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	16Mb (1M x 16)	Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	DRAM	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	DRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns 50-TSOP	Número de pieza base	MSM5*
Tiempo de acceso	30ns

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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