ES6U42T2R

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	ES6U42T2R
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6
Especificaciones:	ES6U42T2R.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	449146 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 449146 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de ES6U42T2R

Número de pieza	ES6U42T2R	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	449146 pcs	Ficha de datos	ES6U42T2R.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-WEMT
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	390 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	700mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.1nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	Schottky Diode (Body)	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	P-Channel 20V 1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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