DTC114YUBHZGTL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	DTC114YUBHZGTL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Especificaciones:	1.DTC114YUBHZGTL.pdf 2.DTC114YUBHZGTL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2742857 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2742857 pcs

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Especificaciones de DTC114YUBHZGTL

Número de pieza	DTC114YUBHZGTL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2742857 pcs	Ficha de datos	1.DTC114YUBHZGTL.pdf 2.DTC114YUBHZGTL.pdf
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA	Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased + Diode
Paquete del dispositivo	UMT3F	Serie	Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2)	47 kOhms	Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Potencia - Max	200mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-85	Otros nombres	DTC114YUBHZGTLTR
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	250MHz
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	-	Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA

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Después de las ventas
Especificaciones

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