BSM180D12P3C007

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	BSM180D12P3C007
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	SIC POWER MODULE
Especificaciones:	1.BSM180D12P3C007.pdf 2.BSM180D12P3C007.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	179 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 179 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $184.64

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Especificaciones de BSM180D12P3C007

Número de pieza	BSM180D12P3C007	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	SIC POWER MODULE	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	179 pcs	Ficha de datos	1.BSM180D12P3C007.pdf 2.BSM180D12P3C007.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.6V @ 50mA	Paquete del dispositivo	Module
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	-
Potencia - Max	880W	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	Module	Otros nombres	Q9597863
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V (1.2kV)	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W Surface Mount Module
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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