International Rectifier (Infineon Technologies)| Número de pieza | SPU07N60C3BKMA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 39718 pcs | Ficha de datos | SPU07N60C3BKMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.9V @ 350µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO251-3 |
| Serie | CoolMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 83W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Otros nombres | SP000101635 SPU07N60C3 SPU07N60C3-ND SPU07N60C3IN SPU07N60C3IN-ND SPU07N60C3X SPU07N60C3XK |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción detallada | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
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|---|---|---|
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