0 Item(s)
0 Item(s)
International Rectifier (Infineon Technologies)
| Número de pieza | SPB02N60C3ATMA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no compatible |
| cantidad disponible | 2737 pcs | Ficha de datos | SPB02N60C3ATMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.9V @ 80µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO263-3-2 |
| Serie | CoolMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 25W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Otros nombres | SP000013516 SPB02N60C3 SPB02N60C3ATMA1TR SPB02N60C3INTR SPB02N60C3INTR-ND SPB02N60C3XT SPB02N60C3XT-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción detallada | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
| UPS | www.UPS.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
| TNT | www.TNT.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
