Elija su país o región.

Close
Iniciar sesión Regístrese Email:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

SIDC81D120H6X1SA2

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
International Rectifier (Infineon Technologies)
La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza: SIDC81D120H6X1SA2
Fabricante / Marca: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
Especificaciones: SIDC81D120H6X1SA2.pdf
Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock 6104 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 6104 pcs
Petición de oferta en línea
Complete todos los campos obligatorios con su información de contacto. Haga clic en " SUBMIT RFQ ". Nos pondremos en contacto con usted por correo electrónico. O envíenos un correo electrónico:Info@infinity-electronic.com
  • Precio objetivo:
  • Cantidad:

Indíquenos su precio objetivo si hay cantidades superiores a las que se muestran.

  • Número de pieza
  • Nombre de la empresa
  • Nombre de contacto
  • Email
  • Mensajes

Especificaciones de SIDC81D120H6X1SA2

Número de pieza SIDC81D120H6X1SA2 Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible 6104 pcs Ficha de datos SIDC81D120H6X1SA2.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.6V @ 150A Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 1200V
Paquete del dispositivo Sawn on foil Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie - embalaje Bulk
Paquete / Cubierta Die Otros nombres SIDC81D120H6
SIDC81D120H6-ND
SP000013213
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 1200V 150A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Corriente - Fuga inversa a Vr 27µA @ 1200V Corriente - rectificada media (Io) 150A (DC)
Capacitancia Vr, F -

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL www.DHL.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
UPS www.UPS.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
TNT www.TNT.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

★ El tiempo de entrega será de 2 a 4 días en la mayor parte del país en todo el mundo por DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Por favor, no dude en contactarnos si tiene alguna pregunta sobre el envío. Envíenos un correo electrónico Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTÍA POST-VENTA

  1. A cada producto de Infinity-Semiconductor.com se le ha otorgado un período de garantía de 1 AÑO. Durante este período, podríamos proporcionar mantenimiento técnico gratuito si hay algún problema con nuestros productos.
  2. Si encuentra problemas de calidad en nuestros productos después de recibirlos, puede probarlos y solicitar un reembolso incondicional si se puede probar.
  3. Si los productos son defectuosos o no funcionan, puede devolvernos dentro de 1 AÑO, todos los gastos de transporte y de aduana de los productos correrán a cargo de nosotros.

Tags relacionados

Productos relacionados

SIDC81D120F6X1SA1
SIDC81D120F6X1SA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Existencias disponibles: 4430 pcs
Descargar: SIDC81D120F6X1SA1.pdf
RFQ
SIDC56D60E6X1SA1
SIDC56D60E6X1SA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
Existencias disponibles: 6792 pcs
Descargar: SIDC56D60E6X1SA1.pdf
RFQ
SIDR392DP-T1-GE3
SIDR392DP-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CHAN 30V
Existencias disponibles: 68874 pcs
Descargar: SIDR392DP-T1-GE3.pdf
RFQ
SIDC81D60E6X1SA3
SIDC81D60E6X1SA3
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER
Existencias disponibles: 3872 pcs
Descargar: SIDC81D60E6X1SA3.pdf
RFQ
SIDC81D120E6X1SA4
SIDC81D120E6X1SA4
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Existencias disponibles: 6699 pcs
Descargar: SIDC81D120E6X1SA4.pdf
RFQ
SIDC59D170HX1SA2
SIDC59D170HX1SA2
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
Existencias disponibles: 5369 pcs
Descargar: SIDC59D170HX1SA2.pdf
RFQ
SIDC85D170HX1SA2
SIDC85D170HX1SA2
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
Existencias disponibles: 6141 pcs
Descargar: SIDC85D170HX1SA2.pdf
RFQ
SIDR140DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
Existencias disponibles: 79408 pcs
Descargar: SIDR140DP-T1-GE3.pdf
RFQ
SIDEGIG-GUITAREVM
SIDEGIG-GUITAREVM
Fabricantes: N/A
Descripción: EVALUATION MODULE
Existencias disponibles: 1952 pcs
Descargar:
RFQ
SIDC73D170E6X1SA2
SIDC73D170E6X1SA2
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
Existencias disponibles: 4962 pcs
Descargar: SIDC73D170E6X1SA2.pdf
RFQ
SIDR402DP-T1-GE3
SIDR402DP-T1-GE3
Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC
Existencias disponibles: 65874 pcs
Descargar: SIDR402DP-T1-GE3.pdf
RFQ
SIDC78D170HX1SA1
SIDC78D170HX1SA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
Existencias disponibles: 6201 pcs
Descargar: SIDC78D170HX1SA1.pdf
RFQ

Noticias de la Industria

Rohm agrega 10 mosfets automotrices de SiC
"La introducción de la serie SCT3xxxxxHR permite a Rohm ofrecer la línea más grande de mosfets de...
ON se agrega a los MOSFET de SiC
ON Semiconductor ha introducido dos MOSFET de SiC destinados a aplicaciones de EV, solares y UPS. El...
APEC: TI piensa lateralmente para hacer un chip ac-dc con 15 mW en espera
"Este dispositivo logra el mejor equilibrio entre alta eficiencia y ruido ultra bajo al tiempo que r...
Contenido patrocinado: Analizador de espectro SIGLENT SVA1015X
El analizador de espectro SIGLENT SVA1015X es una herramienta muy potente y flexible para varias med...
Se espera que el gasto de los equipos de fabricación semi disminuya un 14% este año y crezca un 27% el próximo año
Estimulado por una desaceleración en el sector de la memoria, la desaceleración de 2019 marca el f...
Power Stamp Alliance reduce la necesidad de una CPU host para monitorear las unidades de suministro de energía y agrega un diseño de referencia
Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex y STMicroelectronics) ha creado u...
APEC: poder de SiC y herramientas eléctricas mejoradas basadas en la nube
La capacidad de búsqueda se ha mejorado, y hay un menú estilo carrusel que permite seleccionar dis...
Dengrove agrega convertidores de CC / CC que ahorran espacio de Recom
Están diseñados para aplicaciones que requieren alta densidad de potencia y alta eficiencia y tien...
Primer procesador de brazos con calificación militar para aplicaciones de alta fidelidad
LS1046A forma parte de la cartera Arm Layerscape de 64 bits de NXP, con un brazo Cortex-A72 de cuatr...