Infineon Technologies| Número de pieza | IRFH5304TRPBF | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 238118 pcs | Ficha de datos | IRFH5304TRPBF.pdf |
| Voltaje - Prueba | 2360pF @ 10V | Tensión - Desglose | PQFN (5x6) |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5 mOhm @ 47A, 10V | Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | HEXFET® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 22A (Ta), 79A (Tc) |
| Polarización | 8-PowerVDFN | Otros nombres | IRFH5304TRPBF-ND IRFH5304TRPBFTR SP001564156 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | IRFH5304TRPBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 41nC @ 10V | Tipo de IGBT | ±20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.35V @ 50µA | Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 30V 22A (Ta), 79A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30V |
| relación de capacidades | 3.6W (Ta), 46W (Tc) |
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|---|---|---|
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