Infineon Technologies| Número de pieza | IRF7805ZGTRPBF | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3845 pcs | Ficha de datos | IRF7805ZGTRPBF.pdf |
| Voltaje - Prueba | 2080pF @ 15V | Tensión - Desglose | 8-SO |
| VGS (th) (Max) @Id | 6.8 mOhm @ 16A, 10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | HEXFET® | Estado RoHS | Tube |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 16A (Ta) | Polarización | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | IRF7805ZGPBF IRF7805ZGPBF-ND SP001551518 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | IRF7805ZGTRPBF | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 27nC @ 4.5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.25V @ 250µA | Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30V |
| relación de capacidades | 2.5W (Ta) |
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|---|---|---|
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