International Rectifier (Infineon Technologies)| Número de pieza | IRF6621TR1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no compatible |
| cantidad disponible | 6861 pcs | Ficha de datos | IRF6621TR1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.25V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | DIRECTFET™ SQ |
| Serie | HEXFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 12A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | DirectFET™ Isometric SQ | Otros nombres | IRF6621 IRF6621-ND IRF6621TR1-ND IRF6621TR1TR SP001524780 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 12A (Ta), 55A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 55A (Tc) |
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|---|---|---|
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