Infineon Technologies| Número de pieza | IPP70N04S406AKSA1 | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 151562 pcs | Ficha de datos | IPP70N04S406AKSA1.pdf |
| Voltaje - Prueba | 2550pF @ 25V | Tensión - Desglose | PG-TO220-3-1 |
| VGS (th) (Max) @Id | 6.5 mOhm @ 70A, 10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | OptiMOS™ | Estado RoHS | Tube |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 70A (Tc) | Polarización | TO-220-3 |
| Otros nombres | IPP70N04S4-06 IPP70N04S4-06-ND SP000711480 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | IPP70N04S406AKSA1 | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 32nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4V @ 26µA | Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 40V 70A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 40V |
| relación de capacidades | 58W (Tc) |
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