International Rectifier (Infineon Technologies)| Número de pieza | IPI111N15N3GAKSA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 34594 pcs | Ficha de datos | IPI111N15N3GAKSA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 160µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO262-3 |
| Serie | OptiMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 83A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 214W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | Otros nombres | IPI111N15N3 G IPI111N15N3 G-ND SP000680232 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 75V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 150V |
| Descripción detallada | N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 83A (Tc) |
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|---|---|---|
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