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International Rectifier (Infineon Technologies)
| Número de pieza | IPB65R110CFDAATMA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH TO263-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 20827 pcs | Ficha de datos | IPB65R110CFDAATMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 1.3mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 277.8W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Otros nombres | IPB65R110CFDAATMA1-ND IPB65R110CFDAATMA1TR SP000896402 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 118nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción detallada | N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 31.2A (Tc) |
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|---|---|---|
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