Número de pieza | IDH04G65C5XKSA1 | Fabricante | Infineon Technologies |
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Descripción | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 35343 pcs | Ficha de datos | IDH04G65C5XKSA1.pdf |
Tensión - inversa de pico (máxima) | Silicon Carbide Schottky | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 4A (DC) |
Tensión - Desglose | PG-TO220-2 | Serie | thinQ!™ |
Estado RoHS | Tube | Tiempo de recuperación inversa (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Resistencia @ Si, F | 130pF @ 1V, 1MHz | Polarización | TO-220-2 |
Otros nombres | IDH04G65C5 IDH04G65C5-ND SP000925198 |
Temperatura de funcionamiento - Junction | 0ns |
Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante | IDH04G65C5XKSA1 | Descripción ampliada | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
configuración de diodo | 140µA @ 650V | Descripción | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.7V @ 4A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 650V |
Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 175°C |
FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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