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Infineon Technologies
| Número de pieza | BSC093N04LSGATMA1 | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 342387 pcs | Ficha de datos | BSC093N04LSGATMA1.pdf |
| Voltaje - Prueba | 1900pF @ 20V | Tensión - Desglose | PG-TDSON-8 |
| VGS (th) (Max) @Id | 9.3 mOhm @ 40A, 10V | Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | OptiMOS™ |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 13A (Ta), 49A (Tc) |
| Polarización | 8-PowerTDFN | Otros nombres | BSC093N04LS G BSC093N04LS G-ND BSC093N04LS GTR BSC093N04LS GTR-ND BSC093N04LSG SP000387929 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | BSC093N04LSGATMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 24nC @ 10V | Tipo de IGBT | ±20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2V @ 14µA | Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 40V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 40V |
| relación de capacidades | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
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|---|---|---|
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