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International Rectifier (Infineon Technologies)
| Número de pieza | BSB165N15NZ3GXUMA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 58162 pcs | Ficha de datos | BSB165N15NZ3GXUMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 110µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Serie | OptiMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 3-WDSON | Otros nombres | BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3 G-ND BSB165N15NZ3 GTR-ND BSB165N15NZ3G BSB165N15NZ3GXUMA1TR SP000617000 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 75V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 150V |
| Descripción detallada | N-Channel 150V 9A (Ta), 45A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 45A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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