Infineon Technologies| Número de pieza | BAS 3010S-02LRH E6327 | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 30V 1A TSLP-2 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 982314 pcs | Ficha de datos | BAS 3010S-02LRH E6327.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Schottky | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1A |
| Tensión - Desglose | PG-TSLP-2 | Serie | - |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | 15pF @ 5V, 1MHz | Polarización | SOD-882 |
| Otros nombres | BAS 3010S-02LRH E6327-ND BAS3010S02LRHE6327 BAS3010S02LRHE6327XTSA1 SP000472480 |
Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | BAS 3010S-02LRH E6327 |
| Descripción ampliada | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount PG-TSLP-2 | configuración de diodo | 300µA @ 30V |
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 30V 1A TSLP-2 | Corriente - Fuga inversa a Vr | 650mV @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 30V | Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 150°C |
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|---|---|---|
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