IXTP230N04T4

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTP230N04T4
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH
Especificaciones:	IXTP230N04T4.pdf
Condición de stock	35465 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35465 pcs

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Especificaciones de IXTP230N04T4

Número de pieza	IXTP230N04T4	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	35465 pcs	Ficha de datos	IXTP230N04T4.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	TrenchT4™	RDS (Max) @Id, Vgs	2.9 mOhm @ 115A, 10V
La disipación de energía (máximo)	340W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-220-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7400pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	140nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	N-Channel 40V 230A (Tc) 340W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	230A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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