IXTP1R6N100D2

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTP1R6N100D2
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Especificaciones:	IXTP1R6N100D2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	39520 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39520 pcs

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Especificaciones de IXTP1R6N100D2

Número de pieza	IXTP1R6N100D2	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	39520 pcs	Ficha de datos	IXTP1R6N100D2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
La disipación de energía (máximo)	100W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	27nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	Depletion Mode	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V	Descripción detallada	N-Channel 1000V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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