IXTH12N70X2

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTH12N70X2
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH
Especificaciones:	IXTH12N70X2.pdf
Condición de stock	18410 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18410 pcs

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Especificaciones de IXTH12N70X2

Número de pieza	IXTH12N70X2	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	18410 pcs	Ficha de datos	IXTH12N70X2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	300 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	180W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-247-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	19nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	700V
Descripción detallada	N-Channel 700V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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