IXTA1N120P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTA1N120P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
Especificaciones:	IXTA1N120P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	29582 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29582 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

50 pcs: $1.163

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Especificaciones de IXTA1N120P

Número de pieza	IXTA1N120P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	29582 pcs	Ficha de datos	IXTA1N120P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263 (IXTA)
Serie	PolarVHV™	RDS (Max) @Id, Vgs	20 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	63W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V	Descripción detallada	N-Channel 1200V 1A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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