IXKG25N80C

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXKG25N80C
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Especificaciones:	IXKG25N80C.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3549 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3549 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

25 pcs: $8.494

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Especificaciones de IXKG25N80C

Número de pieza	IXKG25N80C	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 800V 25A ISO264	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3549 pcs	Ficha de datos	IXKG25N80C.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 2mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	ISO264™
Serie	CoolMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	150 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	250W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	ISO264™	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	166nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 25A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISO264™	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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