IXFX210N17T

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFX210N17T
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247
Especificaciones:	IXFX210N17T.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6182 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6182 pcs

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Especificaciones de IXFX210N17T

Número de pieza	IXFX210N17T	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6182 pcs	Ficha de datos	IXFX210N17T.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PLUS247™-3
Serie	GigaMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	7.5 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1150W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	18800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	285nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	170V	Descripción detallada	N-Channel 170V 210A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	210A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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