IXFN80N60P3

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFN80N60P3
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Especificaciones:	IXFN80N60P3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4348 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4348 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $8.563

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Especificaciones de IXFN80N60P3

Número de pieza	IXFN80N60P3	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4348 pcs	Ficha de datos	IXFN80N60P3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-227B
Serie	HiPerFET™, Polar3™	RDS (Max) @Id, Vgs	70 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)	960W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SOT-227-4, miniBLOC	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	Not Applicable
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	190nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	66A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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