IXFN110N85X

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFN110N85X
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Especificaciones:	IXFN110N85X.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2002 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2002 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $18.836

10 pcs: $17.615

100 pcs: $15.274

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Especificaciones de IXFN110N85X

Número de pieza	IXFN110N85X	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2002 pcs	Ficha de datos	IXFN110N85X.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-227B
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	33 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1170W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SOT-227-4, miniBLOC	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	17000pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	425nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	850V
Descripción detallada	N-Channel 850V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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