IXFK80N65X2

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFK80N65X2
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
Especificaciones:	IXFK80N65X2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6255 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6255 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

25 pcs: $5.724

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Especificaciones de IXFK80N65X2

Número de pieza	IXFK80N65X2	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 650V 80A TO-264	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6255 pcs	Ficha de datos	IXFK80N65X2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-264
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	40 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)	890W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-264-3, TO-264AA	Otros nombres	IXFK80N65X2X IXFK80N65X2X-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8245pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	143nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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