IXFJ40N30Q

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFJ40N30Q
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268
Especificaciones:	IXFJ40N30Q.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6477 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6477 pcs

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Especificaciones de IXFJ40N30Q

Número de pieza	IXFJ40N30Q	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6477 pcs	Ficha de datos	IXFJ40N30Q.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-268
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	80 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	300W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-220-3, Short Tab
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4800pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	200nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	300V
Descripción detallada	N-Channel 300V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-268	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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