IXFH7N100P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFH7N100P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH
Especificaciones:	IXFH7N100P.pdf
Condición de stock	11215 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11215 pcs

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Especificaciones de IXFH7N100P

Número de pieza	IXFH7N100P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	11215 pcs	Ficha de datos	IXFH7N100P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	6V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	HiPerFET™, Polar™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	300W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-247-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2590pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	47nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V
Descripción detallada	N-Channel 1000V 7A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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