IXFA22N60P3

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFA22N60P3
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH
Especificaciones:	IXFA22N60P3.pdf
Condición de stock	22647 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 22647 pcs

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Especificaciones de IXFA22N60P3

Número de pieza	IXFA22N60P3	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	22647 pcs	Ficha de datos	IXFA22N60P3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263AA
Serie	HiPerFET™, Polar3™	RDS (Max) @Id, Vgs	390 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)	500W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	38nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 22A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-263AA	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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