| Número de pieza | IS43R16160F-6TLI | Fabricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 24426 pcs | Ficha de datos | IS43R16160F-6TLI.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns | Suministro de voltaje | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Tecnología | SDRAM - DDR | Paquete del dispositivo | 66-TSOP II |
| Serie | - | embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) | Otros nombres | 706-1422 706-1422-5 706-1422-5-ND IS43R16160F-6TLI-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II | Frecuencia de reloj | 166MHz |
| Tiempo de acceso | 700ps |
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|---|---|---|
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