HFA06TB120STRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	HFA06TB120STRR
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
Especificaciones:	HFA06TB120STRR.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	4490 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4490 pcs

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Especificaciones de HFA06TB120STRR

Número de pieza	HFA06TB120STRR	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	4490 pcs	Ficha de datos	HFA06TB120STRR.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	6A
Tensión - Desglose	D2PAK	Serie	HEXFRED®
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - Junction	80ns	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	HFA06TB120STRR
Descripción ampliada	Diode Standard 1200V (1.2kV) 6A Surface Mount D2PAK	configuración de diodo	5µA @ 1200V
Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK	Corriente - Fuga inversa a Vr	3V @ 6A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	1200V (1.2kV)	Capacitancia Vr, F	-55°C ~ 150°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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