Global Power Technologies Group| Número de pieza | GP2M012A080NG | Fabricante | Global Power Technologies Group |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4253 pcs | Ficha de datos | GP2M012A080NG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-3PN |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 416W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-3P-3, SC-65-3 | Otros nombres | 1560-1211-1 1560-1211-1-ND 1560-1211-5 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3370pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 79nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 12A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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|---|---|---|
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