S12M

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	S12M
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Especificaciones:	1.S12M.pdf 2.S12M.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	19080 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19080 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

100 pcs: $1.752

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Especificaciones de S12M

Número de pieza	S12M	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	19080 pcs	Ficha de datos	1.S12M.pdf 2.S12M.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	12A
Tensión - Desglose	DO-4	Serie	-
Estado RoHS	Bulk	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	DO-203AA, DO-4, Stud
Otros nombres	S12MGN	Tipo de montaje	Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	S12M
Descripción ampliada	Diode Standard 1000V (1kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4	configuración de diodo	10µA @ 50V
Descripción	DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4	Corriente - Fuga inversa a Vr	1.1V @ 12A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	1000V (1kV)	Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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