| Número de pieza | MBR3560R | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY REV 60V DO4 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5217 pcs | Ficha de datos | 1.MBR3560R.pdf2.MBR3560R.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 750mV @ 35A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 60V |
| Paquete del dispositivo | DO-4 | Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | DO-203AA, DO-4, Stud | Otros nombres | 1242-1231 MBR3560RGN MBR3560RGN-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Schottky, Reverse Polarity | Descripción detallada | Diode Schottky, Reverse Polarity 60V 35A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.5mA @ 20V | Corriente - rectificada media (Io) | 35A |
| Capacitancia Vr, F | - |
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|---|---|---|
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