KBP210G

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	KBP210G
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP
Especificaciones:	KBP210G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	244227 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 244227 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $0.134

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Especificaciones de KBP210G

Número de pieza	KBP210G	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	244227 pcs	Ficha de datos	KBP210G.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	1kV	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.1V @ 2A
Tecnología	Standard	Paquete del dispositivo	KBP
Serie	-	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	4-SIP, KBP	Otros nombres	KBP2010GN KBP2010GN-ND KBP210GGS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Single Phase	Descripción detallada	Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
Corriente - Fuga inversa a Vr	10µA @ 1000V	Corriente - rectificada media (Io)	2A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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