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GeneSiC Semiconductor
| Número de pieza | GKN26/08 | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 18954 pcs | Ficha de datos | 1.GKN26/08.pdf2.GKN26/08.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 25A |
| Tensión - Desglose | DO-4 | Serie | - |
| Estado RoHS | Bulk | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | - | Polarización | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres | 1242-1225 GKN26/08GN GKN26/08GN-ND GKN2608 |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | GKN26/08 |
| Descripción ampliada | Diode Standard 800V 25A Chassis, Stud Mount DO-4 | configuración de diodo | 4mA @ 800V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.55V @ 60A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 800V | Capacitancia Vr, F | -40°C ~ 180°C |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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