Número de pieza | GBPC35010T | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
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Descripción | DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 38965 pcs | Ficha de datos | 1.GBPC35010T.pdf2.GBPC35010T.pdf |
Tensión - inversa de pico (máxima) | 1kV | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.1V @ 17.5A |
Tecnología | Standard | Paquete del dispositivo | GBPC |
Serie | - | embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | 4-Square, GBPC | Otros nombres | GBPC35010T/WGN GBPC35010T/WGN-ND GBPC35010TGN GBPC35010TW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | QC Terminal |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo de diodo | Single Phase | Descripción detallada | Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV QC Terminal GBPC |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 1000V | Corriente - rectificada media (Io) | 35A |
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