| Número de pieza | GA20JT12-263 | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS SJT 1200V 45A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1996 pcs | Ficha de datos | GA20JT12-263.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | - | Vgs (Max) | - |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | Paquete del dispositivo | D2PAK (7-Lead) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 60 mOhm @ 20A |
| La disipación de energía (máximo) | 282W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Otros nombres | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3091pF @ 800V | Tipo FET | - |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V | Descripción detallada | 1200V 45A (Tc) 282W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
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|---|---|---|
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