GA06JT12-247

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	GA06JT12-247
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
Especificaciones:	GA06JT12-247.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5443 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5443 pcs

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Especificaciones de GA06JT12-247

Número de pieza	GA06JT12-247	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5443 pcs	Ficha de datos	GA06JT12-247.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	Paquete del dispositivo	TO-247AB
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	220 mOhm @ 6A
La disipación de energía (máximo)	-	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	1242-1165 GA06JT12247
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET	-	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	-	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V
Descripción detallada	1200V 6A (Tc) (90°C) Through Hole TO-247AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc) (90°C)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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