FR12J05

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FR12J05
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Especificaciones:	1.FR12J05.pdf 2.FR12J05.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	21677 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21677 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

200 pcs: $1.713

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Especificaciones de FR12J05

Número de pieza	FR12J05	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	21677 pcs	Ficha de datos	1.FR12J05.pdf 2.FR12J05.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	12A
Tensión - Desglose	DO-4	Serie	-
Estado RoHS	Bulk	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	DO-203AA, DO-4, Stud
Otros nombres	FR12J05GN	Temperatura de funcionamiento - Junction	500ns
Tipo de montaje	Chassis, Stud Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	FR12J05	Descripción ampliada	Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
configuración de diodo	25µA @ 100V	Descripción	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Corriente - Fuga inversa a Vr	800mV @ 12A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	600V
Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 150°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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