1N1206A

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	1N1206A
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Especificaciones:	1.1N1206A.pdf 2.1N1206A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	18967 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18967 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

200 pcs: $1.643

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Especificaciones de 1N1206A

Número de pieza	1N1206A	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	18967 pcs	Ficha de datos	1.1N1206A.pdf 2.1N1206A.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	12A
Tensión - Desglose	DO-4	Serie	-
Estado RoHS	Bulk	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	DO-203AA, DO-4, Stud
Otros nombres	1242-1079	Tipo de montaje	Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	1N1206A
Descripción ampliada	Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4	configuración de diodo	10µA @ 50V
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Corriente - Fuga inversa a Vr	1.1V @ 12A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	600V	Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 200°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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