Número de pieza | MB85R4M2TFN-G-ASE1 | Fabricante | Fujitsu Electronics America, Inc. |
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Descripción | IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 7478 pcs | Ficha de datos | 1.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf2.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 150ns | Suministro de voltaje | 1.8 V ~ 3.6 V |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) | Paquete del dispositivo | 44-TSOP |
Serie | - | embalaje | Tray |
Paquete / Cubierta | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | Otros nombres | 865-1266 865-1266-1 865-1266-1-ND |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) | Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | FRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 150ns 44-TSOP | Tiempo de acceso | 150ns |
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