FQPF8N80CYDTU

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQPF8N80CYDTU
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Especificaciones:	FQPF8N80CYDTU.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	48824 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 48824 pcs

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Especificaciones de FQPF8N80CYDTU

Número de pieza	FQPF8N80CYDTU	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	48824 pcs	Ficha de datos	FQPF8N80CYDTU.pdf
Voltaje - Prueba	2050pF @ 25V	Tensión - Desglose	TO-220F-3 (Y-Forming)
VGS (th) (Max) @Id	1.55 Ohm @ 4A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	QFET®
Estado RoHS	Tube	RDS (Max) @Id, Vgs	8A (Tc)
Polarización	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	FQPF8N80CYDTU	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	45nC @ 10V
Tipo de IGBT	±30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	800V	relación de capacidades	59W (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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