FDN359BN

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDN359BN
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
Especificaciones:	FDN359BN.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3538 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3538 pcs

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Especificaciones de FDN359BN

Número de pieza	FDN359BN	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3538 pcs	Ficha de datos	FDN359BN.pdf
Voltaje - Prueba	650pF @ 15V	Tensión - Desglose	SuperSOT-3
VGS (th) (Max) @Id	46 mOhm @ 2.7A, 10V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	PowerTrench®	Estado RoHS	Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs	2.7A (Ta)	Polarización	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres	FDN359BN-ND FDN359BNFSTR	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	FDN359BN	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7nC @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30V
relación de capacidades	500mW (Ta)

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