FDMS8027S

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS8027S
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V POWER56
Especificaciones:	FDMS8027S.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	109634 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 109634 pcs

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Especificaciones de FDMS8027S

Número de pieza	FDMS8027S	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V POWER56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	109634 pcs	Ficha de datos	FDMS8027S.pdf
Voltaje - Prueba	1815pF @ 15V	Tensión - Desglose	Power56
VGS (th) (Max) @Id	5 mOhm @ 18A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®, SyncFET™
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	18A (Ta), 22A (Tc)
Polarización	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS8027STR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	FDMS8027S
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	31nC @ 10V	Tipo de IGBT	±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3V @ 1mA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 30V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount Power56	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 30V POWER56	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30V
relación de capacidades	2.5W (Ta), 36W (Tc)

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