SQS850EN-T1_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SQS850EN-T1_GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212
Especificaciones:	SQS850EN-T1_GE3.pdf
Condición de stock	223098 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 223098 pcs

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Especificaciones de SQS850EN-T1_GE3

Número de pieza	SQS850EN-T1_GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	223098 pcs	Ficha de datos	SQS850EN-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® 1212-8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	21.5 mOhm @ 6.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	33W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® 1212-8	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2021pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	41nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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