SQJ422EP-T1_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SQJ422EP-T1_GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Especificaciones:	SQJ422EP-T1_GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	53731 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 53731 pcs

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Especificaciones de SQJ422EP-T1_GE3

Número de pieza	SQJ422EP-T1_GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	53731 pcs	Ficha de datos	SQJ422EP-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs	3.4 mOhm @ 18A, 10V	La disipación de energía (máximo)	83W (Tc)
embalaje	Original-Reel®	Paquete / Cubierta	PowerPAK® SO-8
Otros nombres	SQJ422EP-T1_GE3DKR	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4660pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	100nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	N-Channel 40V 74A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	74A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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