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Electro-Films (EFI) / Vishay
| Número de pieza | SIS430DN-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 195045 pcs | Ficha de datos | SIS430DN-T1-GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | PowerPAK® 1212-8 | Otros nombres | SIS430DN-T1-GE3-ND SIS430DN-T1-GE3TR SIS430DNT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 12.5V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 25V |
| Descripción detallada | N-Channel 25V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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|---|---|---|
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