SIRA00DP-T1-RE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIRA00DP-T1-RE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Especificaciones:
Condición de stock	94217 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94217 pcs

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Especificaciones de SIRA00DP-T1-RE3

Número de pieza	SIRA00DP-T1-RE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	94217 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	+20V, -16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® SO-8
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	1 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	104W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® SO-8	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11700pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	220nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

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Especificaciones

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